Non todos os chips son iguais: tecnoloxía GaN, desde a oblea ata o sistema radar

Nesta charla achegarémonos dunha maneira accesible ao mundo dos semicondutores aplicados a sistemas RF de alta potencia. A través de conceptos básicos como a oblea e os procesos de deseño e fabricación, construiremos unha visión clara do que hai detrás dun chip de altas prestacións.

Ao longo da sesión explicarase de forma intuitiva como se forman os transistores GaN e por que resultan especialmente axeitados para aplicacións esixentes. Tamén se introducirán elementos clave como os modelos de transistores RF e os PDKs, que permiten conectar a tecnoloxía de fabricación co deseño de circuítos MMIC.

Finalmente, veremos como estes dispositivos se integran en sistemas complexos, como os radares modernos, ofrecendo unha visión completa do percorrido tecnolóxico desde a oblea ata o sistema. Esta parte contextualizarase coa actividade desenvolvida en Indra, incluíndo o traballo do seu centro de innovación en Vigo e a participación en iniciativas como SPARC, orientadas ao desenvolvemento de capacidades estratéxicas en microelectrónica e tecnoloxías RF.

Unha charla divulgativa e ao mesmo tempo vinculada á experiencia industrial, da man de Rocío Moure, apoiada en exemplos visuais e comparacións que facilitan a comprensión.

Rocío Moure é enxeñeira de Telecomunicación e doutora pola Universidade de Vigo, en colaboración coa Universidade de Cardiff. Iniciou a súa traxectoria como investigadora en AtlantTIC, en Vigo, e posteriormente trasladouse a Belfast, no Reino Unido, onde traballou como enxeñeira de deseño de microondas e dispositivos en Iconic RF.

Máis adiante incorporouse a Microchip, centrando o seu traballo na caracterización e modelado de transistores GaN HEMT. Actualmente é a responsable de Procesos GaN e modelado RF en Indra, en Vigo, colaborando ademais coa posta en marcha dunha nova foundry europea na cidade.

Esta actividade está patrocinada pola Xunta de Galicia e pola Axencia Para a Modernización Tecnolóxica (AMTEGA).